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理大研發電腦記憶體新材料

By on January 19, 2023

原文刊於信報財經新聞「StartupBeat創科鬥室

任何物質的原子厚度單層結構堆疊起來,均有可能產生於單層結構時不存在的新特性。香港理工大學應用物理學系主任兼納米材料講座教授劉樹平領導的團隊,發現二硫化鉬(MoS2)和二硫化鎢(WS2)合組的雙層堆疊,具有壓電性兼展現出鐵電效應。這些新型納米級鐵電體低成本、低耗能,具備大規模複製潛力,可用於生產電腦記憶體;有關研究刊登於國際學術期刊《科學》(Science)。

劉樹平(右)指,電腦記憶體等高科技行業,將受惠新型納米級鐵電體。(理大提供圖片)
理大研究團隊在原子顯微鏡下,發現納米級鐵電新材料。(理大提供圖片)

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